STM32G030内部Flash读写-模拟EEPROM-磨损均衡完整代码
本文详解了在STM32G030单片机中,利用内部Flash模拟EEPROM以实现关键参数掉电保存的解决方案。针对Flash擦写寿命有限的问题,核心提出了磨损均衡(Wear Leveling)机制:通过设计一个64字节的数据结构体,将2KB的Flash页划分为32个块进行顺序写入,写满整页后才执行擦除。
我是单片机爱好者MCU起航,这里持续关注物联网技术、硬件设计技术、单片机教程的分享(包括51单片机、STM8、STM32单片机等),以及人工智能等方面。
本文详解了在STM32G030单片机中,利用内部Flash模拟EEPROM以实现关键参数掉电保存的解决方案。针对Flash擦写寿命有限的问题,核心提出了磨损均衡(Wear Leveling)机制:通过设计一个64字节的数据结构体,将2KB的Flash页划分为32个块进行顺序写入,写满整页后才执行擦除。
本文记录了我将经典的老刘示波器方案从STC8A单片机移植到STM32G030的过程,实现了包括±25V电压采样 … 阅读更多