STM32G030内部Flash读写-模拟EEPROM-磨损均衡完整代码

本文详解了在STM32G030单片机中,利用内部Flash模拟EEPROM以实现关键参数掉电保存的解决方案。针对Flash擦写寿命有限的问题,核心提出了磨损均衡(Wear Leveling)机制:通过设计一个64字节的数据结构体,将2KB的Flash页划分为32个块进行顺序写入,写满整页后才执行擦除。